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纳米CMOS器件及电路的辐射效应
更新时间：2021-04-30 21:43:49 最新章节：参考文献
书籍简介
本书主要介绍广泛存在的各种辐射对纳米CMOS器件及其电路的影响，涵盖了各种辐射环境分析、电离损伤机理研究、纳米器件的总剂量效应和单粒子效应的建模仿真、辐射效应对纳米电路的影响及辐照实验设计等，综合考虑器件特征尺寸缩减对辐射效应的影响，从器件、电路角度建模分析，给出了纳电子器件及其电路的辐射效应的分析方法和思路。本书对高“k”栅介质对纳米CMOS器件的辐射效应的影响、新兴的纳米FinFET及纳米线的辐射效应、器件级加固技术进行了分析和讨论，还给出了单粒子串扰的建模方法以及数字电路在单粒子效应下的软错误率评估方法。
上架时间：2021-04-01 00:00:00
出版社：电子工业出版社
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- 会员真空电子学作为基础学科，已广泛应用于雷达、通信、探测、医疗、大科学工程和工业工程等方面。本书对其原理及应用进行介绍，内容共分为15章。第1章～第5章从真空环境切入，主要介绍真空电子学的发展历程、基础知识；第6章～第8章详细阐述真空电子学研究的新方法，以及基于真空电子学的高频率器件与高功率微波技术；第9章～第11章分别介绍先进制造工艺、新材料在真空电子学领域的应用，以及真空电子学中的新机制；第12章自然15.5万字